英特爾太委屈 難產的10nm工藝要比三星/台積電7nm還要好-NEW-ONE熱點

英特爾太委屈 難產的10nm工藝要比三星/台積電7nm還要好

作者:Amy    發表日期:2018-05-21 16:02:13

  最近一段時間英特爾承受了很多爭議乃至非議,這個即將滿五十周歲的老牌半導體公司似乎要輸給三星、台積電這些後輩了,要知道台積電當初做代工也是得到了英特爾悉心指導的,沒想到現在被台積電、三星各種領先,特別是10nm工藝節點被這兩家甩開。普通人之所以有這樣的認識,其實根源在於半導體知識太複雜,英特爾在半導體製造領域依然具有極強的實力,他們的10nm工藝電晶體密度要比三星、台積電的7nm工藝還要好,就是難產了點。

  在許多人的認知里,三星、台積電超越英特爾很大程度上是都被XXnm的數字迷惑了,表面上看7nm比10nm先進,10nm比14nm先進,但背後代表的半導體技術太複雜,早就不是線寬所能代表的了。三星、台積電在16/14nm FinFET節點上第一次超越英特爾,嘗到了營銷上的甜頭,所以後面的工藝命名有很多營銷成分,比如16nm優化下就成了12nm工藝,14nm優化下成了12nm LP工藝,相比之下英特爾只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等,要老實很多。

  當老實人的代價就是會吃虧,即便是在10nm節點,三星、台積電後面還會衍生出8nm之類的工藝,讓人看的眼花撩亂,摸不清來龍去脈。對於這個問題,英特爾早前也表示過他們的無奈,也反擊過這種衡量工藝的水平,推出了全新的公式:

  在這個公式中,英特爾認為衡量半導體工藝的重要指標是電晶體密度,上面具體算的過程大家就不要管了,反正是行業內認識才會關注的。

  在這樣的形勢下,英特爾對比其他家公司工藝時就有了優勢了,去年的製造日會議上,英特爾就對比過其他家公司的工藝情況:

  14nm工藝的情況

  先說14nm工藝,別看英特爾直到現在都在縫縫補補14nm工藝,但是與其他家對比優勢明顯,電晶體密度是20nm工藝的134%,而其他兩家只不過說104%、109%。

  10nm節點工藝對比

  10nm節點上,英特爾表示他們的10nm工藝電晶體密度達到了100MTr/mm2,就是每平方毫米1億個電晶體,是14nm工藝的兩倍多。

  那麼與其他家的對比呢?Semiwiki日前討論到了三星的10nm、8nm以及7nm工藝情況,其中10nmm工藝的電晶體密度是55.10MTr/mm2,8mm是64.4MTr/mm2,7nm工藝也不過101.23MTr/mm2,原文稱這個電晶體密度比之前計算的英特爾10nm工藝密度要低,比Globalfoundries、台積電的7nm工藝電晶體密度要略高一些。

  換句話說英特爾的10nm工藝電晶體密度就相當於三星、台積電、GF的7nm工藝了,表面上看落後了一代甚至兩代,但是英特爾在技術指標上實際上要比他們領先。

  所以這是不怪英特爾鬱悶,不是他們不努力,而是對手太狡猾,先聲奪人在工藝命名上奪得優勢了。英特爾無力回天,反正那些投資者、分析師們也不去關注這些技術細節,問的都是你們的10nm為什麼難產呢?

  為什麼難產?英特爾也解答不出來,大概是因為他們懷了一個哪吒吧,出生時間就要比別人多兩年。


本文來源:http://new.qq.com/omn/20180508A0PO6I.html




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